11月9日，华为发布了全新的震慑新品——新新一代DriveONE 800V碳化硅黄金动力渠道，并宣告“上车”旗下首款智选车智界S7，同日敞开预售。其首发了职业界量产最高转速的

  电机将首发搭载于智界S7，四驱版配有前150千瓦沟通异步电驱体系，后215千瓦永磁同步电驱。得益于此，四驱版智界S7零百加快快至3.3秒，并且在强壮的刹车体系的加持下，该车100-0公里/时刹停间隔仅为33.5秒，比保时捷Taycan的35.97米的成果更好。依照余承东的说法，智界S7便是用特斯拉Model 3的价格，享用特斯拉Model S和保时捷Taycan的体会，归于越级而生。该车渐渐的开端预售，价格为25.8-35.8万元，下定可享用价值4万元的首发权益，而到本月二十几号，新车将正式上市，到时，余承东会发布该车详细价格。

  余承东表明，经过屡次测算，四个版别悉数亏本在卖，期望后边经过扩展销量来扭亏为盈。

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  的5大优势 /

  器材的元年。世界功率半导体巨子Wolfspeed和意法半导体等公司正在

  产品的长处，选用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正导游通压降VF和结电荷QC，能够更好的下降运用端的导通损耗和开关损耗。图（1）

  规范肖特基结构做成的肖特基二极管（SBD）漏电流大，反向耐压低，产品竞争力差，商业运用价值低。为提高产品竞争力，

  分立器材（Hybrid SiC Discrete Devices）将新式场截止IGBT技能和

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器材功率更加高，作业速度更快

  直是功率半导体职业的不懈寻求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，根据宽禁带

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特色，可下降器材损耗、减小

  危险，装备适宜的短路维护电路，能够有实际效果的削减开关器材在运用的过程中因短路而形成的损坏。与硅IGBT比较，

  MOSFET短路耐受时刻更短。1）硅IGBT：硅IGBT的接受退保和短路的时刻

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