由工采网代理的SS6285M是一款DC双向马达驱动电路；可pin to pin兼容替代TMI8360、RZ7899、AM2861；该芯片适用玩具等类的电机驱动、自动阀门电机驱动、电磁门锁驱等。

  36V/1.6A两通道H桥驱动芯片-SS8812T可替代DRV8812

  由工采网代理的SS8812T是一款双通道H桥电流控制电机驱动器；每个 H 桥可提供输出电流 1.6A，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载；双极步进电机可以以整步、2 细分、4 细分运行，或者用软件实现高细分

  快科技1月2日消息，台积电宣布，位于日本的第一家晶圆厂将于2月24日正式开张，下半年正式投产。 台积电日本晶圆厂位于熊本县附近，将生产N28 28nm级工艺芯片，这是日本目前最先进的半导体工艺。 22ULP工艺也会在这里生产，但注意它不是22nm，而是28nm的一个变种，专用于超低功耗设备

  IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列

  一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大

  全新4.5 kV XHP3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

  【2023年12月25日，德国慕尼黑讯】许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / O

  众所周知， 当前芯片制造技术最强的企业，必须是台积电，已经搞定了3nm，全球最领先，苹果的A17 Pro、M3均是3nm工艺的芯片。 虽然三星也搞定了3nm，似乎与台积电技术一致，但目前三星的3nm还没有客户，连自己的Exynos2400芯片都不用，就可以猜测出三星的3nm是个什么水平了